台积电宣称2022年商业化量产3nm工艺芯片
发布时间：2021-11-11 15:00:02 所属栏目：产品 来源：互联网
导读：近日有消息称：台积电将于 2022 年将其 N3（3 nm）EUV 硅制造节点商业化，并将于下半年开始量产。对于3nm工艺的竞争，目前只剩下台积电与三星两家公司，而三星上个月公开表示，其3nm工艺上分为两个版本，其中3GAE(低功耗版)将在2022年年初投入量产，3GAP(高性
|
近日有消息称：台积电将于 2022 年将其 N3（3 nm）EUV 硅制造节点商业化，并将于下半年开始量产。对于3nm工艺的竞争，目前只剩下台积电与三星两家公司，而三星上个月公开表示，其3nm工艺上分为两个版本，其中3GAE(低功耗版)将在2022年年初投入量产，3GAP(高性能版)则会在2023年年初批量生产。 根据之前数据统计可见，3nm 工艺节点的晶体管密度增量变得更大，三星预计提供的密度仅为 170 万，而台积电 3nm 的密度为 290 万（尽管未使用 GAA）。 不过面对台积电的压制，三星称3nm工艺将采用全新的GAA（Gate-all-around，环绕栅极）技术。相比于FinFET晶体管技术，GAAFET 架构的晶体管提供更好的静电特性，这样漏电功率会降低，从而功耗降低。 相信为了稳住客户，台积电才于今日宣布2022年商业化量产3nm工艺芯片。而且之前也传出台积电的N3制造节点还会衍生出一个N3E版本，可以视为增强版，有更好的性能、功耗、良品率，同时设计和IP上完全兼容N3，2024年量产。 值得提到的是，台积电也在寻求最大限度地提高其当前 N5 (5 nm) 节点的容量，以便满足苹果、AMD等大客户的需求。 （编辑：武汉站长网） 【声明】本站内容均来自网络，其相关言论仅代表作者个人观点，不代表本站立场。若无意侵犯到您的权利，请及时与联系站长删除相关内容! |
站长推荐
热点阅读